[发明专利]具有位于磁隧道结器件下面的位线的MRAM体系结构无效
| 申请号： | 200480017556.6 | 申请日： | 2004-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN1809929A | 公开（公告）日： | 2006-07-26 |
| 发明（设计）人： | 臧大化 | 申请（专利权）人： | 磁旋科技公司 |
| 主分类号： | H01L29/76 | 分类号： | H01L29/76;H01L23/48;G11C7/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 位于 隧道 器件 下面 mram 体系结构 | ||
【说明书】：
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