[发明专利]用于控制涂覆金刚石的硅的电子迁移率和平坦度的方法以及所形成的结构有效
| 申请号： | 200480018229.2 | 申请日： | 2004-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN1813350A | 公开（公告）日： | 2006-08-02 |
| 发明（设计）人： | K·拉维 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/373 | 分类号： | H01L23/373;C23C16/27;H01L21/762 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘红;陈景峻 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 控制 金刚石 电子 迁移率 平坦 方法 以及 形成 结构 | ||
【说明书】：
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