[发明专利]用于多层集成电路的半可熔连接系统及其制造方法有效
| 申请号： | 200480018747.4 | 申请日： | 2004-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN1871704A | 公开（公告）日： | 2006-11-29 |
| 发明（设计）人： | 丹尼斯·J.·多伊尔 | 申请（专利权）人： | 阿纳洛格装置公司 |
| 主分类号： | H01L23/58 | 分类号： | H01L23/58;H01L23/62 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 康建忠 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 多层 集成电路 半可熔 连接 系统 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
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