[发明专利]降低对处理岛的供电无效

专利信息
申请号: 200480019300.9 申请日: 2004-07-09
公开(公告)号: CN101065806A 公开(公告)日: 2007-10-31
发明(设计)人: R·布兰科;J·M·科恩;K·J·古德诺;D·W·斯托特;S·T·文特罗内 申请(专利权)人: 国际商业机器公司
主分类号: G11C16/04 分类号: G11C16/04
代理公司: 北京市中咨律师事务所 代理人: 于静;李峥
地址: 美国*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 降低 处理 供电
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,包括:

至少一个结构,所述结构包括在所述半导体装置内形成的输入岛、处理岛和输出岛,所述输入岛适于接受特定量的数据,所述输入岛还适于在接受所述特定量的数据后启用用于提供第一特定电压的装置,以为所述处理岛供电,所述处理岛适于在通过所述第一特定电压的所述供电时,接收并处理来自所述输入岛的所述特定量的数据,所述输出岛适于通过第二特定电压被供电,所述处理岛还适于在所述输出岛通过所述第二特定电压被供电时,向所述输出岛传输处理后的数据,以及所述第一特定电压适于在所述处理后的数据向所述输出岛的传输完成时被禁用,从而去除对所述处理岛的供电。

2.根据权利要求1的半导体装置,其中所述输入岛包括用于收集所述特定量的数据的第一存储装置,以及用于启用和禁用所述第一特定电压、控制所述特定数据向所述处理岛的流动、启用和禁用所述第二特定电压、并控制所述处理后的数据向所述输出岛的传输的控制装置,并且其中所述输出岛包括用于收集来自所述处理岛的所述处理后的数据的第二存储装置。

3.根据权利要求2的半导体装置,其中所述第一存储装置和所述第二存储装置是缓冲器。

4.根据权利要求2的半导体装置,其中所述第一存储装置和所述第二存储装置选自先进先出(FIFO)存储器和后进先出(LIFO)存储器。

5.根据权利要求1的半导体装置,其中所述第一特定电压不等于所述第二特定电压。

6.根据权利要求1的半导体装置,还包括用于为所述输入装置供电的第三特定电压,其中所述第一特定电压、所述第二特定电压以及所述第三特定电压不等于同一电压。

7.根据权利要求1的半导体装置,其包括多个所述结构,其中各所述结构包括用于在各所述结构之间通信和传送数据的装置。

8.根据权利要求1的半导体装置,还包括用于针对向所述处理岛传输的特定顺序排序在所述输入岛中的所述特定量的数据的装置。

9.一种半导体装置,包括:

在所述半导体装置内形成的多个存储岛、多个处理岛以及一个控制岛,所述存储岛适于接受特定量的数据,所述处理岛适于接收并处理来自各所述存储岛的所述特定量的数据,所述存储岛还适于接受来自各所述处理岛的处理后的数据,所述控制岛适于监视并控制在所述存储岛与所述处理岛之间的数据传送,所述控制岛包括用于启用和禁用为各所述存储岛和各所述处理岛供电的多个电压的装置,其中各所述处理岛适于仅仅在执行处理功能时被供电。

10.根据权利要求9的半导体装置,其中各所述存储岛适于仅仅在执行存储功能时被供电。

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