[发明专利]CMOS成像器的光电二极管熔丝标识无效
| 申请号： | 200480022502.9 | 申请日： | 2004-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN1833434A | 公开（公告）日： | 2006-09-13 |
| 发明（设计）人： | J·D·布鲁斯;R·帕尼卡茨 | 申请（专利权）人： | 微米技术有限公司 |
| 主分类号： | H04N5/335 | 分类号： | H04N5/335;H04N3/15;H04N5/217 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯;张志醒 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | cmos 成像 光电二极管 标识 | ||
【权利要求书】：
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