[发明专利]利用电子束的薄层高分辨率加工方法有效
申请号: | 200480023882.8 | 申请日: | 2004-08-12 |
公开(公告)号: | CN1839349A | 公开(公告)日: | 2006-09-27 |
发明(设计)人: | 谢尔盖·巴宾;克劳斯·埃丁格;汉斯·W·P·科普斯;彼得拉·施皮斯;托尔斯滕·霍夫曼 | 申请(专利权)人: | 纳沃技术有限公司 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;H01J37/305;C23F4/00;H01L21/768 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 顾晋伟;刘继富 |
地址: | 德国罗*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 利用 电子束 薄层 高分辨率 加工 方法 | ||
【说明书】:
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
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