[发明专利]用于制造场效应半导体器件的方法无效
| 申请号： | 200480026427.3 | 申请日： | 2004-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN1853277A | 公开（公告）日： | 2006-10-25 |
| 发明（设计）人： | 白石诚司;阿多诚文 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒;魏晓刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 制造 场效应 半导体器件 方法 | ||
【说明书】：
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