[发明专利]形成半导体封装的方法及其结构有效
| 申请号： | 200480027415.2 | 申请日： | 2004-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN1856878A | 公开（公告）日： | 2006-11-01 |
| 发明（设计）人： | 达文·S·马哈德万;迈克尔·E·查普曼;阿尔温德·S·萨利安 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | H01L23/552 | 分类号： | H01L23/552;H01L23/62;H05K9/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 形成 半导体 封装 方法 及其 结构 | ||
【权利要求书】：
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