[发明专利]用于处理电介质膜的方法和系统有效

申请号：	200480029705.0	申请日：	2004-10-07
公开（公告）号：	CN101416277A	公开（公告）日：	2009-04-22
发明（设计）人：	多雷尔·伊万·托玛;朱建红;浜本和裕	申请（专利权）人：	东京毅力科创株式会社
主分类号：	H01L21/02	分类号：	H01L21/02;H01L21/3105;H01L21/31;H01L21/768;H01L23/532
代理公司：	北京东方亿思知识产权代理有限责任公司	代理人：	李剑
地址：	日本***	国省代码：	日本;JP
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摘要：
搜索关键词：	用于处理电介质方法系统
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【权利要求书】：

1.一种处理电介质膜的方法，包括：

制备电介质膜；

制备电介质膜之后，将所述电介质膜的至少一个表面暴露于四甲基环四硅氧烷和八甲基环四硅氧烷中的至少一种；

并且所述电介质膜具有小于SiO₂的介电常数的介电常数值。

2.如权利要求1所述的方法，还包括：

将所述电介质膜的所述至少一个表面暴露于含氯材料。

3.如权利要求1所述的方法，其中，所述将所述电介质膜暴露的操作包括将介电常数的范围从1.6到2.7的电介质膜暴露。

4.如权利要求1所述的方法，其中，所述将所述电介质膜暴露的操作包括将多孔电介质膜和无孔电介质膜中的至少之一暴露。

5.如权利要求1所述的方法，其中，所述将所述电介质膜暴露的操作包括将单相材料和两相材料中的至少之一暴露。

6.如权利要求1所述的方法，其中，所述将所述电介质膜暴露的操作包括将包含有机材料和无机材料中的至少之一的膜暴露。

7.如权利要求6所述的方法，其中，所述将膜暴露的操作包括将含有无机-有机混杂材料的膜暴露。

8.如权利要求6所述的方法，其中，所述将膜暴露的操作包括将包含经氧化的有机硅烷的膜暴露。

9.如权利要求6所述的方法，其中，所述将膜暴露的操作包括将包含氢硅倍半氧烷和甲基硅倍半氧烷中的至少之一的膜暴露。

10.如权利要求6所述的方法，其中，所述将膜暴露的操作包括将包含硅酸盐基材料的膜暴露。

11.如权利要求1所述的方法，其中，所述将所述电介质膜暴露于四甲基环四硅氧烷和八甲基环四硅氧烷中的至少一种的操作包括将所述四甲基环四硅氧烷和八甲基环四硅氧烷中的至少一种以气相、液相和处在超临界流体内的至少一种形式引入。

12.如权利要求11所述的方法，其中，所述将所述四甲基环四硅氧烷和八甲基环四硅氧烷中的至少一种以处在所述超临界流体内的形式引入的操作包括将所述四甲基环四硅氧烷和八甲基环四硅氧烷中的至少一种以处在超临界二氧化碳内的形式引入。

13.如权利要求1或者2所述的方法，其中，所述将所述电介质膜暴露于所述四甲基环四硅氧烷和八甲基环四硅氧烷中的至少一种的操作还包括将所述电介质膜暴露于含CH₂材料和含CH₃材料中的至少一种。

14.如权利要求1所述的方法，还包括：将所述电介质膜的所述至少一个表面暴露于含氮材料。

15.如权利要求2所述的方法，其中，所述将所述电介质膜暴露于所述四甲基环四硅氧烷和八甲基环四硅氧烷中的至少一种的操作还包括将所述电介质膜暴露于六甲基二硅氮烷、三甲基二硅氮烷、三甲基氯硅烷、甲基三氯硅烷、[C₆H₅Si(CH₃)₂]₂NH、C₁₅H₂₉NSi、(CH₃)₂NH、和H₂N(CH₂)₃Si(OC₂H₅)₃中的至少一种。