[发明专利]激光器和检测装置

权利要求书

1.一种以激光器为基础的用于提供有关激光器工作的反馈的装置， 其特征在于，该以激光器为基础的装置包括：

具有光发射侧和与所述光发射侧相对的非发射侧的VCSEL-型激光 器；

与激光器混合的电子电路芯片；

位于所述电子电路芯片的至少一部分和所述激光器之间的平坦化电介 质；

在所述非发射侧上的光检测器单元，该光检测器单元包括：

配置为接收通过所述非发射侧射出激光器的泄漏光子的吸收区；

肖特基接触，被配置为与所述吸收区连接，并且通过该肖特基接 触可测定在吸收区中由对泄漏光子的吸收所产生的电流；和

位于所述肖特基接触和所述吸收区之间的衬底。

2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，

所述激光器是顶发射的激光器。

3.如权利要求1或2所述的装置，其特征在于，所述光发射侧包括 有源侧反射镜，且其中有源侧反射镜被掺杂为p型。

4.如权利要求1或2所述的装置，其特征在于，所述光发射侧包括 有源侧反射镜，且其中有源侧反射镜被掺杂为n型。

5.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述吸收区包括半绝缘 材料。

6.如权利要求5所述的装置，其特征在于，所述半绝缘材料包括砷 化镓。

7.如权利要求5所述的装置，其特征在于，所述半绝缘材料的厚度 小于2微米。

8.如权利要求5所述的装置，其特征在于，所述半绝缘材料的厚度 约为1微米。

9.如权利要求1或2所述的装置，其特征在于，所述光发射侧包括 有源侧反射镜，且其中有源侧反射镜包括碳掺杂剂、铍掺杂剂或锌掺杂剂 中的至少一种。

10.如权利要求9所述的装置，其特征在于，所述有源侧反射镜包括 砷化铝镓。

11.如权利要求1或2所述的装置，其特征在于，所述非发射侧包括 无源侧反射镜，且其中无源侧反射镜包括硅掺杂剂或碲掺杂剂中的至少一 种。

12.如权利要求11所述的装置，其特征在于，所述有源侧反射镜包 括砷化铝镓。

13.一种由包括VCSEL-型激光器的装置进行的用于提供有关激光器 工作的反馈的方法，所述VCSEL-型激光器具有所述激光器配置为通过其 发射输出信号的有源侧反射镜以及与所述有源侧反射镜相对的无源侧反射 镜，其特征在于，该方法包括：

通过肖特基接触对通过无源侧反射镜漏出激光器并进入到材料中的光 子进行测定，该材料将该光子转换为可用肖特基接触测定的电流；

确定测定结果是否需要补偿动作；和

当需要该补偿动作时进行补偿动作，除非测定结果表明激光器已经失 效；

其中所述测定和进行补偿动作包括使用与所述激光器混合的电子电路 芯片；

平坦化电介质位于所述电子电路芯片的至少一部分和所述激光器之 间；和

其中，衬底位于所述肖特基接触和所述材料之间。

14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，还包括根据光子泄漏 和激光器输出功率之间的比例关系确定激光器的输出功率量。

15.如权利要求13所述的方法，其特征在于，进行补偿动作包括调 节激光器的偏置电流。

16.如权利要求13所述的方法，其特征在于，进行补偿动作包括调 节激光器的调制电流。

17.如权利要求13所述的方法，其特征在于，还包括

当测定结果表明激光器已经失效时，以冗余的激光器替代该激光器。