[发明专利]镁基铁氧体、含有该铁氧体的电子照相显影载体以及含有该载体的显影剂

权利要求书

1.一种镁基铁氧体材料，该镁基铁氧体材料具有式(1)的组成：

X_aMg_bFe_cCa_dO_e    (1)

其中，X是Na、K、Rb、Cs、Sr、B a、Y、La、Ti、Zr、V、Al、Ga、Si、P或B i；以及

a、b、c和d满足

0.001≤R(X)≤0.15，

其中，

R(X)由以下公式表示：

R(X)＝a×(Aw(X)+(n/2)×Aw(O))/(a×(Aw(X)+(n/2)×Aw(O))+b×Fw(MgO)+(c/2)×Fw(Fe₂O₃)+d×Fw(CaO))；

Aw(X)和Aw(O)分别是X的原子量和O的原子量；n是X的氧化数，

0.01≤b/(b+c/2)≤0.85，且

0≤R(Ca)≤0.15，

其中，

R(Ca)由以下公式表示：

R(Ca)＝d×Fw(CaO)/(a×(Aw(X)+(n/2)×Aw(O))+b×Fw(MgO)+(c/2)×Fw(Fe₂O₃)+d×Fw(CaO))；

其中，e由X、Mg、Fe和Ca的氧化数确定；

其中，当X为Na、K、Rb或Cs时，n为1；当X为Sr或Ba时，n为2；当X为Y、La、Al、Bi或Ga时，n为3；当X为Ti、Zr或Si时，n为4；当X为V或P时，n为5；

其中，Fw(CaO)、Fw(MgO)和Fw(Fe₂O₃)分别是CaO、MgO和Fe₂O₃的分子量；

其中该镁基铁氧体材料的电介质击穿电压为1.5-5.0kV。

2.根据权利要求1所述的镁基铁氧体材料，其中，X是Na、K、Sr、Y、La、Ti、Zr、V、Al、Si、P或Bi。

3.根据权利要求1或2所述的镁基铁氧体材料，其中，该镁基铁氧体材料的饱和磁化强度为30-80emu/g。

4.根据权利要求1或2所述的镁基铁氧体材料，其中，b和c满足：0.01≤b/(b+c/2)≤0.30。

5.根据权利要求1或2所述的镁基铁氧体材料，其中，该镁基铁氧体材料的平均粒径为0.01-150μm的范围。

6.一种电子照相显影载体，该电子照相显影载体含有权利要求1所述的镁基铁氧体材料。

7.根据权利要求6所述的电子照相显影载体，其中，该镁基铁氧体材料用树脂涂覆。

8.一种电子照相显影剂，该电子照相显影剂含有权利要求6或权利要求7所述的电子照相显影载体和调色剂。

9.根据权利要求8所述的电子照相显影剂，其中，该调色剂与该载体的重量比为2-40wt％。

10.权利要求1所述的镁基铁氧体的制造方法，包括如下步骤：

(i)混合原材料；

(ii)烧结经混合的原材料以生长颗粒，其中，最高温度为800℃-1500℃；以及

(iii)在含氧气氛下加热经烧结的原材料以调节颗粒性能，其中最高温度为300-1000℃。

11.根据权利要求10所述的镁基铁氧体的制造方法，其中，步骤(ii)在具有氧浓度不大于10vol％的惰性气氛中进行，且步骤(iii)的气氛中的氧浓度比步骤(ii)气氛中的氧浓度高。

12.根据权利要求10或11所述的镁基铁氧体的制造方法，其中，步骤(iii)的气氛是具有氧浓度为0.05至25.0vol％的惰性气氛。

13.根据权利要求10或11所述的镁基铁氧体的制造方法，其中，步骤(ii)的气氛是具有氧浓度为0.001-10.0vol％的惰性气氛。

14.根据权利要求10所述的镁基铁氧体的制造方法，其中，混合原材料的步骤(i)包括以下步骤：

制备包括含镁化合物和含铁化合物的浆料；以及

干燥该浆料以造粒。