[发明专利]在晶片级底层填料应用中含有高Tg、透明和良好可靠性的填料的溶剂改性树脂体系无效
| 申请号： | 200480032517.3 | 申请日： | 2004-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN1875477A | 公开（公告）日： | 2006-12-06 |
| 发明（设计）人： | 斯拉沃米尔·鲁宾茨塔杰恩;桑迪普·托纳皮;戴维·吉布森第三;约翰·坎贝尔;阿南思·普拉巴库马 | 申请（专利权）人： | 通用电气公司 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29;C08K3/34;C08K9/06;C01B33/14 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 封新琴;巫肖南 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶片 底层 填料 应用 含有 tg 透明 良好 可靠性 溶剂 改性 树脂 体系 | ||
【说明书】：
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