[发明专利]从冶金级硅中去除杂质以制得太阳能级硅的方法无效
申请号: | 200480035884.9 | 申请日: | 2004-08-27 |
公开(公告)号: | CN1890177A | 公开(公告)日: | 2007-01-03 |
发明(设计)人: | G·伯恩斯;J·拉博;S·伊尔麦茨 | 申请(专利权)人: | 陶氏康宁公司 |
主分类号: | C01B33/037 | 分类号: | C01B33/037 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 蔡胜有 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 冶金 级硅中 去除 杂质 太阳 能级 方法 | ||
【权利要求书】:
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