[发明专利]MRAM技术中用于MTJ中的合成反铁磁结构有效
| 申请号： | 200480037446.6 | 申请日： | 2004-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN1894801A | 公开（公告）日： | 2007-01-10 |
| 发明（设计）人： | 斯里尼瓦斯·V·皮耶塔姆巴拉姆;雷努·W·戴夫;乔恩·M·斯劳特;孙继军 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/76 | 分类号： | H01L29/76 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏;黄启行 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mram 技术 用于 mtj 中的 合成 反铁磁 结构 | ||
【权利要求书】：
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