[发明专利]包含对各个存储单元的多写入脉冲编程的NAND存储阵列及其操作方法无效
| 申请号： | 200480041184.0 | 申请日： | 2004-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN1910701A | 公开（公告）日： | 2007-02-07 |
| 发明（设计）人： | 陈恩星;安德鲁·J·沃克;罗伊·E·朔伊尔莱因;苏切塔·纳拉莫图;阿尔佩尔·伊尔克巴哈尔;卢卡·G·法索利 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克3D公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C11/56;G11C5/02 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 刘国伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 包含 各个 存储 单元 写入 脉冲 编程 nand 阵列 及其 操作方法 | ||
【说明书】：
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