[发明专利]材料沉积方法及设备

权利要求书

1.在晶片表面上沉积材料的方法，包括：

将无电解电镀溶液涂敷到晶片表面上，该无电解电镀溶液保持在不容易发生电镀反应的温度；以及

将该晶片表面曝光于辐射能量，该辐射能量能够将该晶片表面的温度增大到在该晶片表面和该无电解电镀溶液之间界面处发生电镀反应的状态。

2.如权利要求1所述的在晶片表面上沉积材料的方法，进一步包括：

控制该辐射能量的波长范围，使该辐射能量选择性地加热晶片表面上的材料。

3.如权利要求1所述的在晶片表面上沉积材料的方法，进一步包括：

将该无电解电镀溶液的温度控制成基本上低于发生电镀反应的温度。

4.如权利要求1所述的在晶片表面上沉积材料的方法，其中通过脉冲辐射能量而执行将该晶片表面曝光于辐射能量。

5.如权利要求1所述的在晶片表面上沉积材料的方法，其中将该晶片表面曝光于辐射能量包括将该辐射能量穿过该晶片而到达晶片表面。

6.在晶片表面上沉积材料的设备，包括：

由围墙和底部定义的槽，该槽配置成包括无电解电镀溶液；

置于该槽内的晶片支持结构，该晶片支持结构配置成将晶片支持在该槽所包含的无电解电镀溶液内的浸没位置；以及

置于该晶片支持结构上的辐射能量源，该辐射能量源定向成将辐射能量导向被支持在该无电解电镀溶液内浸没位置的晶片。

7.如权利要求6所述的在晶片表面上沉积材料的设备，其中该辐射能量源配置成产生辐射能量，该辐射能量的波长范围能够在辐射能量入射到晶片表面上时选择性地加热该晶片表面上的材料。

8.如权利要求6所述的在晶片表面上沉积材料的设备，其中该辐射能量源配置成准直该辐射能量，该辐射能量源进一步配置成扫过该晶片表面。

9.如权利要求6所述的在晶片表面上沉积材料的设备，其中该晶片支持结构配置成振荡该晶片。

10.在晶片表面上沉积材料的设备，包括：

由围墙和底部定义的槽，该槽配置成包括无电解电镀溶液；

晶片支架，配置成将晶片插入该槽所包含的无电解电镀溶液内，该晶片支架进一步配置成将该晶片撤离该槽所包含的无电解电镀溶液；以及

置于该槽所包含的无电解电镀溶液上的辐射能量源，该辐射能量源定向成在从该槽所包含的无电解电镀溶液中撤离该晶片时将辐射能量导向该晶片。

11.如权利要求10所述的在晶片表面上沉积材料的设备，其中该辐射能量源配置成产生辐射能量，该辐射能量的波长范围能够在辐射能量入射到晶片表面上时选择性地加热该晶片表面上的材料。

12.在晶片表面上沉积材料的设备，包括：

由围墙和底部定义的槽，该槽配置成包括无电解电镀溶液；

置于该槽内的晶片支持结构，该晶片支持结构配置成将晶片支持在该槽所包含的无电解电镀溶液内的浸没位置；以及

置于该晶片支持结构内的辐射能量源，该辐射能量源定向成将辐射能量导向被支持在该无电解电镀溶液内浸没位置的晶片的底面，该辐射能量能够穿过该晶片从而加热该晶片顶面上的材料。

13.在晶片上沉积平坦化层的设备，包括：

由围墙和底部定义的槽，该槽配置成包括无电解电镀溶液；

置于该槽内的晶片支持结构，该晶片支持结构配置成将晶片支持在该槽所包含的无电解电镀溶液内的浸没位置；

置于该晶片支持结构上并基本上和该晶片支持结构平行的平面部件，该平面部件可朝向和远离该晶片支持结构而移动，该平面部件可被置成靠近由该晶片支持结构支持的晶片；以及

置于该平面部件和晶片支持结构上的辐射能量源，该辐射能量源定向成将辐射能量穿过该平面部件并到达由晶片支持结构支持的晶片。

14.如权利要求13所述的在晶片上沉积平坦化层的设备，其中该辐射能量源配置成产生辐射能量，该辐射能量的波长范围能够在辐射能量入射到晶片表面上时选择性地加热该晶片表面上的材料。

15.如权利要求13所述的在晶片上沉积平坦化层的设备，该平面部件由这样的材料组成，该材料能够将从该辐射能量源发射的辐射能量导向该晶片支持结构。