[发明专利]生物共轭的纳米结构、其制造方法、和其使用方法无效
申请号: | 200480041964.5 | 申请日: | 2004-11-16 |
公开(公告)号: | CN101421623A | 公开(公告)日: | 2009-04-29 |
发明(设计)人: | 聂淑明;高晓虎 | 申请(专利权)人: | 爱默蕾大学 |
主分类号: | G01N33/58 | 分类号: | G01N33/58 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 | 代理人: | 卢素华;郑 霞 |
地址: | 美国佐*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 生物 共轭 纳米 结构 制造 方法 使用方法 | ||
1.一种纳米结构,包括:
一量子点;和
一疏水保护结构,其包括一种加帽配体和一种两亲性共聚物,其中所述疏水保护结构包被所述量子点。
2.根据权利要求1所述的纳米结构,其中所述两亲性共聚物选自两亲性嵌段共聚物、两亲性无规共聚物、两亲性交替共聚物、两亲性周期共聚物、和其组合。
3.根据权利要求1所述的纳米结构,其中所述两亲性共聚物是一种嵌段共聚物,选自一种二嵌段共聚物、一种三嵌段共聚物、和其组合。
4.根据权利要求3所述的纳米结构,其中所述两亲性嵌段共聚物包括一种ABC三嵌段结构,其具有接枝的8-碳烷基支链。
5.根据权利要求4所述的纳米结构,其中所述ABC三嵌段结构包括一聚-丙烯酸丁酯段、一聚-丙烯酸乙酯段、和一聚异丁烯酸段。
6.根据权利要求1所述的纳米结构,其中所述量子点包括一核和一帽,其中所述量子点的所述核选自IIA-VIA半导体、IIIA-VA半导体、IVA-IVA半导体、和IVA-VIA半导体组成的组。
7.根据权利要求6所述的纳米结构,其中所述量子点的所述核选自由IIA-VIA半导体组成的组。
8.根据权利要求6所述的纳米结构,其中所述量子点的所述核选自由CdS、CdSe、CdTe、ZnSe、ZnS、PbS、PbSe和合金组成的组。
9.根据权利要求1所述的纳米结构,其中所述量子点是CdTe/CdSe。
10.根据权利要求1所述的纳米结构,还包括一种生物相容性的化合物,其基本排列在所述疏水保护结构的表面上。
11.根据权利要求10所述的纳米结构,其中所述生物相容性化合物是一种分子量约500至50,000的聚乙二醇分子。
12.根据权利要求10所述的纳米结构,还包括基本排列在所述疏水保护结构表面上的一种探针,其中所述探针选自一种抗体、一种多肽、一种多核苷酸、一种药物分子、一种抑制剂化合物、和其组合。
13.根据权利要求1所述的纳米结构,还包括排列在所述疏水保护结构上的一种探针,其中所述探针选自一种抗体、一种多肽、一种多核苷酸、一种药物分子、一种抑制剂化合物、和其组合。
14.根据权利要求1所述的纳米结构,其中所述加帽配体包括三-辛基氧化膦。
15.一种纳米结构,包括:
至少一种纳米物质;和
一种疏水保护结构,其包括选自一种加帽配体、一种两亲性共聚物、和其组合的至少一种化合物,其中所述疏水保护结构包被所述纳米物质。
16.根据权利要求15所述的纳米结构,还包括一种生物相容性的化合物,其基本排列在所述疏水保护结构的表面上。
17.根据权利要求15所述的纳米结构,还包括一种探针,其基本排列在所述疏水保护结构的表面上。
18.根据权利要求15所述的纳米结构,其中所述加帽配体包括三-辛基氧化膦。
19.根据权利要求15所述的纳米结构,其中所述两亲性共聚物是一种两亲性无规共聚物。
20.根据权利要求15所述的纳米结构,其中所述两亲性共聚物是一种两亲性交替共聚物。
21.根据权利要求15所述的纳米结构,其中所述两亲性共聚物是一种两亲性周期共聚物。
22.根据权利要求15所述的纳米结构,其中所述两亲性共聚物选自两亲性嵌段共聚物、两亲性无规共聚物、两亲性交替共聚物、两亲性周期共聚物、和其组合。
23.根据权利要求15所述的纳米结构,其中所述两亲性共聚物是选自一种二嵌段共聚物和一种三嵌段共聚物的一种嵌段共聚物。
24.根据权利要求23所述的纳米结构,其中所述嵌段共聚物包括一种具有接枝的8-碳烷基支链的ABC三嵌段结构。
25.根据权利要求24所述的纳米结构,其中所述ABC三嵌段结构包括一聚-丙烯酸丁酯段、一聚-丙烯酸乙酯段、和一聚异丁烯酸段。
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