[发明专利]发光结构

权利要求书

1.一种发光结构，其特征在于，包括：

具有阳极(30)和阴极(32)的发光二极管(22)；以及

设置于所述阳极和阴极的其中至少一个之上的电阻膜件(24)。

2.根据权利要求1所述的发光结构，其特征在于，所述电阻膜件具有配置成实现一预定阻抗的电阻率和截面。

3.根据权利要求1所述的发光结构，其特征在于，所述电阻膜件包括薄膜电阻器。

4.根据权利要求1所述的发光结构，其特征在于，所述电阻膜件包括厚膜电阻器。

5.根据权利要求1所述的发光结构，其特征在于，进一步包括插置于所述电阻膜件和所述发光二极管之间的导电薄膜(44)。

6.根据权利要求1所述的发光结构，其特征在于，所述电阻膜件设置于所述阳极之上，并且所述发光结构进一步包括互连件(28)，所述互连件与在所述阴极和所述电阻膜件之间选定的其中一个相耦合。

7.根据权利要求7所述的发光结构，其特征在于，所述互连件通过至少一触点耦合。

8.根据权利要求7所述的发光结构，其特征在于，所述互连件包括与所述选定的其中一个相耦合的键(106)。

9.根据权利要求7所述的发光结构，其特征在于，进一步包括一使所述互连件与所述选定的其中一个相耦合的引线接合件(102)。

10.根据权利要求1所述的发光结构，其特征在于，所述电阻膜件设置于所述阴极之上，并且所述发光结构进一步包括互连件(28)，所述互连件与在所述阳极和所述电阻膜件之间选定的其中一个相耦合。

11.根据权利要求11所述的发光结构，其特征在于，所述互连件通过至少一触点耦合。

12.根据权利要求11所述的发光结构，其特征在于，所述互连件包括一与所述选定的其中一个相耦合的键(106)。

13.根据权利要求11所述的发光结构，其特征在于，进一步包括一使所述互连件与所述选定的其中一个相耦合的引线接合件(102)。

14.根据权利要求1所述的发光结构，其特征在于，所述发光二极管为半导体发光二极管。

15.根据权利要求1所述的发光结构，其特征在于，所述发光二极管为有机发光二极管。

16.根据权利要求1所述的发光结构，其特征在于，所述发光二极管为聚合物发光二极管。

17.一种发光结构，其特征在于，包括：

具有阳极(30)和阴极(32)的发光二极管(22)；

在所述阳极和阴极之间选定的其中一个之上设置的电阻件(24)；以及

分别位与所述电阻件的第一和第二部份之上的第一和第二触点(26A，26B)。

18.根据权利要求18所述的发光结构，其特征在于，进一步包括插置于所述电阻件和所述发光二极管之间的导电薄膜(44)。

19.根据权利要求18所述的发光结构，其特征在于，所述电阻件具有配置成在所述第一和第二触点与所述发光二极管之间实现一预定阻抗的电阻率和截面。

20.根据权利要求18所述的发光结构，其特征在于，进一步包括分别与所述第一和第二触点相耦合的第一和第二互连件(28A，28B)。

21.根据权利要求18所述的发光结构，其特征在于，所述电阻件包括电阻膜。

22.根据权利要求18所述的发光结构，其特征在于，所述电阻件包括薄膜电阻器。

23.根据权利要求18所述的发光结构，其特征在于，所述电阻件包括厚膜电阻器。

24.根据权利要求18所述的发光结构，其特征在于，所述发光二极管为半导体发光二极管。

25.根据权利要求18所述的发光结构，其特征在于，所述发光二极管为有机发光二极管。

26.根据权利要求18所述的发光结构，其特征在于，所述发光二极管为聚合物发光二极管。