[发明专利]生产沸石薄膜的方法无效
| 申请号： | 200480044525.X | 申请日： | 2004-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN101072626A | 公开（公告）日： | 2007-11-14 |
| 发明（设计）人： | 阿纳帕姆·米特拉 | 申请（专利权）人： | 株式会社物产纳米技术研究所 |
| 主分类号： | B01D71/02 | 分类号： | B01D71/02;B01J37/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 宋莉;贾静环 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 生产 薄膜 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种在多孔基材上生产结晶沸石薄膜的方法，其包括用第一粉末涂布该多孔基材表面，用第二粉末涂布该第一粉末涂布的多孔基材表面，并将该第一粉末和第二粉末涂布的多孔基材与结晶沸石用前体介质相接触，以进行沸石的热液合成，其中该第一粉末是对结晶沸石薄膜生长基本上没有帮助的粉末，且其中该第二粉末是促进结晶沸石薄膜生长的结晶沸石粉末。
2.权利要求1的方法，其中该第一粉末是对结晶沸石薄膜生长基本上没有帮助的结晶沸石粉末。
3.权利要求1的方法，其中该要生产的结晶沸石薄膜选自FAU、ZSM-5、BEA、LTA、LTL、KFI、RHO、MOR和FER。
4.权利要求1-3中任一项的方法，其中作为该第二粉末的结晶沸石粉末的结构类型类似于该要生产的结晶沸石薄膜的结构类型。
5.权利要求1-4中任一项的方法，其中当该结晶沸石薄膜为X或Y型FAU时，第一粉末为USY且第二粉末为NaY。
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