[发明专利]具有增强散热性的半导体封装结构有效
| 申请号： | 200480044528.3 | 申请日： | 2004-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN101073151A | 公开（公告）日： | 2007-11-14 |
| 发明（设计）人： | 弗朗西斯·J·卡尔尼;迈克尔·J·瑟登 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L23/31 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 增强 散热 半导体 封装 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种电子封装结构，包括：
一半导体管芯，其具有一主载流电极以及控制电极；
一阶跃形连接结构，其连接于所述主载流电极；
第二连接结构，其连接于所述控制电极；以及
一包封层，其覆盖所述半导体管芯的至少一部分，同时又外露所述阶跃形连接结构的一部分。
2.如权利要求1所述的电子封装结构，其中所述阶跃形连接结构包括具有至少两个阶梯的阶跃形夹片，并且其中所述阶跃形连接结构具有至少一个覆在所述半导体管芯的主表面上而没有在所述半导体管芯的边缘上方延伸的阶梯。
3.如权利要求1所述的电子封装结构，其中所述阶跃形连接结构包括波动形带式连接。
4.如权利要求1所述的电子封装结构，其中所述阶跃形连接结构具有至少两个阶梯，并且其中所述连接结构具有表面区域，并且其中所述表面区域的至少50％连接到所述主载流电极。
5.如权利要求4所述的电子封装结构，其中所述第二连接结构包括一带式连接。
6.如权利要求4所述的电子封装结构，其中所述第二连接结构包括一引线接合。
7.如权利要求1所述的电子封装结构，其中所述包封层包括一种热导率大于或等于3.0Watts/mK的材料。
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