[发明专利]半导体装置以及半导体装置的控制方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包含：

写入电压供给电路，供给写入电压至存储单元的漏极；以及

电压产生电路，使用根据所述写入电压供给电路所供给的写入电压而决定的时钟信号，产生供给至所述存储单元的栅极的电压。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述电压产生电路当所述写入电压供给电路所供给的写入电压低于预定电压以下时，将比第1时钟信号的频率还低的第2时钟信号作为根据所述写入电压而决定的时钟信号来使用。

3.如权利要求1所述的半导体装置，还包含频率转换电路，根据所述写入电压供给电路所供给的写入电压，将预定的振荡电路所输出的时钟信号的频率予以转换，藉此来产生根据所述写入电压而决定的时钟信号。

4.如权利要求1所述的半导体装置，还包含频率转换电路，当所述写入电压供给电路所供给的写入电压低于预定电压以下时，通过降低预定的振荡电路所输出的时钟信号的频率来产生根据所述写入电压而决定的时钟信号。

5.如权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，还包含检测电路，通过所述写入电压供给电路的输出电压来检测写入电压供给电路所供给的写入电压的下降。

6.如权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，还包含检测电路，通过所述写入电压供给电路的输出电流来检测写入电压供给电路所供给的写入电压的下降。

7.如权利要求3或4所述的半导体装置，还包含产生电路，根据所述写入电压供给电路所供给的写入电压，产生用来控制所述频率转换电路所转换的时钟信号的频率的控制信号。

8.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述电压产生电路是以斜波栅极方式产生供给至所述存储单元的栅极的电压。

9.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述电压产生电路为二极管型电荷泵。

10.如权利要求1至9中任一项所述的半导体装置，其中，所述半导体装置为半导体存储装置。

11.一种半导体装置的控制方法，包含：

供给步骤，供给写入电压至存储单元的漏极；以及

产生步骤，使用根据所述写入电压而决定的时钟信号来产生供给至所述存储单元的漏极的电压。

12.如权利要求11所述的半导体装置的控制方法，还包含当所述写入电压低于预定电压以下时，将预定的振荡电路所输出的时钟信号转换为低频率的时钟信号的步骤；

所述产生步骤使用所述转换后的时钟信号来产生供给至所述存储单元的栅极的电压。

13.如权利要求11或12所述的半导体装置的控制方法，还包含通过写入电压供给电路的输出电压来检测所述写入电压的步骤。

14.如权利要求11或12所述的半导体装置的控制方法，还包含通过写入电压供给电路的输出电流来检测所述写入电压的步骤。