[发明专利]绝缘横向双扩散金属氧化物半导体（LDMOS）集成电路技术有效
| 申请号： | 200510001857.6 | 申请日： | 2005-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN1734784A | 公开（公告）日： | 2006-02-15 |
| 发明（设计）人： | 蔡铭仁;徐振富 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/088;H01L21/336;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 绝缘 横向 扩散 金属 氧化物 半导体 ldmos 集成电路 技术 | ||
【权利要求书】：
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