[发明专利]半导体存储装置的内部电压产生电路有效
| 申请号： | 200510003875.8 | 申请日： | 2005-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN1684199A | 公开（公告）日： | 2005-10-19 |
| 发明（设计）人： | 任才爀;李在真 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/4063 | 分类号： | G11C11/4063;G11C11/4074;G11C11/413;G11C7/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 黄小临;王志森 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 内部 电压 产生 电路 | ||
【说明书】：
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