[发明专利]降低半导体器件中有效介电常数的器件和方法有效
| 申请号： | 200510004272.X | 申请日： | 2005-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN1649107A | 公开（公告）日： | 2005-08-03 |
| 发明（设计）人： | 戴维·C·埃德尔斯坦;马修·E·科尔伯恩;艾德华·C·考尼三世;蒂莫西·J·达尔顿;约翰·A·菲茨西蒙斯;杰弗里·P·加姆比诺;黄遏明;迈克尔·W·莱恩;文森特·A·迈克加海伊;李·M·尼科尔森;萨亚纳拉亚纳·V·尼塔;萨姆巴斯·普鲁肖塔曼;苏加萨·桑卡兰;托马斯·M·肖;安德鲁·H·西蒙;安托尼·K·斯塔姆伯 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 降低 半导体器件 有效 介电常数 器件 方法 | ||
【权利要求书】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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