[发明专利]一种用负性化学放大抗蚀剂曝光亚50nm图形的方法无效
| 申请号： | 200510008008.3 | 申请日： | 2005-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN1818788A | 公开（公告）日： | 2006-08-16 |
| 发明（设计）人： | 刘明;王云翔;陈宝钦;徐秋霞 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用负性 化学 放大 抗蚀剂 曝光 50 nm 图形 方法 | ||
【说明书】：
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200510008008.3/2.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：锂离子电池的制作方法
- 下一篇：同步分频器及其部件
