[发明专利]铁电材料锆钛酸铅纳米薄膜结晶取向生长的晶化方法无效
| 申请号： | 200510020247.0 | 申请日： | 2005-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN1811008A | 公开（公告）日： | 2006-08-02 |
| 发明（设计）人： | 李言荣;黄文;蒋书文;朱俊;张鹰 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/08;C23C14/58;C30B23/02;C30B33/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610054四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 材料 锆钛酸铅 纳米 薄膜 结晶 取向 生长 方法 | ||
【说明书】：
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