[发明专利]超结半导体器件结构和方法有效
| 申请号： | 200510022822.0 | 申请日： | 2005-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN1822391A | 公开（公告）日： | 2006-08-23 |
| 发明（设计）人： | 加里·H·莱厄切尔特;彼得·J·兹德贝尔;戈登·M·格里芙娜 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 结构 方法 | ||
【说明书】：
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于半导体元件工业有限责任公司，未经半导体元件工业有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200510022822.0/2.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于吸尘器上的气旋分离器
- 下一篇：陶瓷电子部件和层叠电容器
- 同类专利
- 专利分类
