[发明专利]一种N阱电阻类器件电压依存系数的提取方法无效
| 申请号： | 200510027262.8 | 申请日： | 2005-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN1888926A | 公开（公告）日： | 2007-01-03 |
| 发明（设计）人： | 胡晓明 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;G01R31/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾继光 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电阻 器件 电压 依存 系数 提取 方法 | ||
【说明书】：
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