[发明专利]一种绝缘体上硅的埋层氧化物电荷密度的快速表征方法无效
| 申请号： | 200510029225.0 | 申请日： | 2005-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN1734277A | 公开（公告）日： | 2006-02-15 |
| 发明（设计）人： | 孙佳胤;王曦;陈静;张恩霞 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;G01R29/00 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 200050*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘体 氧化物 电荷 密度 快速 表征 方法 | ||
【权利要求书】：
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