[发明专利]物理气相沉积法直接生长成分单一的金属纳米线有效
| 申请号： | 200510033669.1 | 申请日： | 2005-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN1696330A | 公开（公告）日： | 2005-11-16 |
| 发明（设计）人： | 许宁生;周军;邓少芝;陈军;佘峻聪 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | C23C14/24 | 分类号： | C23C14/24;C23C14/14;C23C14/02 |
| 代理公司： | 广州新诺专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 华辉 |
| 地址： | 510275广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 物理 沉积 直接 生长 成分 单一 金属 纳米 | ||
【权利要求书】：
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