[发明专利]射频磁控溅射制备ZrW2O8/ZrO2薄膜的方法无效
申请号: | 200510040805.X | 申请日: | 2005-06-28 |
公开(公告)号: | CN1718850A | 公开(公告)日: | 2006-01-11 |
发明(设计)人: | 严学华;程晓农 | 申请(专利权)人: | 江苏大学 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35 |
代理公司: | 南京知识律师事务所 | 代理人: | 汪旭东 |
地址: | 212013江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 射频 磁控溅射 制备 zrw sub zro 薄膜 方法 | ||
【说明书】:
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏大学,未经江苏大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200510040805.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:手动地膜打孔机
- 下一篇:数字播放接收器的频道信息标准格式及其转换装置
- 同类专利
- 专利分类
- 高导热低膨胀复合材料及其制备工艺
- 铝基钨酸锆颗粒复合材料的制备方法
- 射频磁控溅射制备ZrW<SUB>2</SUB>O<SUB>8</SUB>/ZrO<SUB>2</SUB>薄膜的方法
- 促进铜包覆钨酸锆复合粉体的预处理方法
- 一种负热膨胀材料ZrW<SUB>2</SUB>O<SUB>8</SUB>薄膜的制备方法
- 一种可控热膨胀ZrO<sub>2</sub>/ZrW<sub>2</sub>O<sub>8</sub>复合材料的烧结合成方法
- 低膨胀ZrO<sub>2</sub>/ZrW<sub>2</sub>O<sub>8</sub>陶瓷复合材料及其制备方法
- 金属基电子封装复合材料及其制备方法
- 一种高导热低收缩率的PET复合材料及其制备方法
- 一种可控热膨胀新型熔覆合金粉末材料及制作方法