[发明专利]具隔离结构的金属氧化物半导体场效晶体管及其制作方法有效
申请号: | 200510066850.2 | 申请日: | 2005-04-29 |
公开(公告)号: | CN1855537A | 公开(公告)日: | 2006-11-01 |
发明(设计)人: | 黄志丰;简铎欣;林振宇;杨大勇 | 申请(专利权)人: | 崇贸科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78;H01L27/092;H01L21/336;H01L21/8238;H01L21/8234;H01L21/76 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 张龙哺;郑特强 |
地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 隔离 结构 金属 氧化物 半导体 晶体管 及其 制作方法 | ||
【权利要求书】:
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