[发明专利]多阈值电压互补金属氧化物半导体触发器及其电路及方法有效
申请号: | 200510068440.1 | 申请日: | 2005-04-28 |
公开(公告)号: | CN1694356A | 公开(公告)日: | 2005-11-09 |
发明(设计)人: | 元孝植;郑光钰;金颍焕;李奉炫 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H03K3/356 | 分类号: | H03K3/356;H03K3/012 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 郭定辉;黄小临 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 阈值 电压 互补 金属 氧化物 半导体 触发器 及其 电路 方法 | ||
【权利要求书】:
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200510068440.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于在移动终端上显示屏幕图像的方法
- 下一篇:成型薄片