[发明专利]具有增强的屏蔽结构的金属氧化物半导体器件有效
| 申请号： | 200510070266.4 | 申请日： | 2005-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN1738057A | 公开（公告）日： | 2006-02-22 |
| 发明（设计）人： | 穆哈迈德·A.·施彼伯;徐舒明 | 申请（专利权）人： | 艾格瑞系统有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/092;H01L21/336;H01L21/8238;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国宾*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 增强 屏蔽 结构 金属 氧化物 半导体器件 | ||
【说明书】：
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