[发明专利]具有局部应力结构的金属氧化物半导体场效应晶体管有效
| 申请号： | 200510075361.3 | 申请日： | 2005-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN1805151A | 公开（公告）日： | 2006-07-19 |
| 发明（设计）人： | 陈建豪;蔡邦彦;张志坚;李资良;陈世昌 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王永红 |
| 地址： | 台湾省新竹市新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 局部 应力 结构 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 | ||
【权利要求书】：
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200510075361.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：集装箱、板子套组及其形成方法
- 下一篇：用于船艇的机械化存放设备
- 同类专利
- 专利分类
