[发明专利]横向沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管无效
| 申请号： | 200510089700.3 | 申请日： | 2005-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN1716631A | 公开（公告）日： | 2006-01-04 |
| 发明（设计）人： | 五十岚敦史 | 申请（专利权）人： | 精工电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;张志醒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 横向 沟槽 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 | ||
【权利要求书】：
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