[发明专利]一种m面InGaN/GaN量子阱LED器件结构的生长方法有效
| 申请号： | 200510094747.9 | 申请日： | 2005-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN1761080A | 公开（公告）日： | 2006-04-19 |
| 发明（设计）人： | 谢自力;张荣;韩平;刘成祥;周圣明;修向前;刘斌;李亮;郑有炓;顾书林;江若琏;施毅;朱顺明;胡立群 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 | 代理人： | 汤志武 |
| 地址： | 210093*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 ingan gan 量子 led 器件 结构 生长 方法 | ||
【权利要求书】：
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