[发明专利]具有沟槽侧壁晶体管的非易失性存储器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200510106921.7 | 申请日： | 2005-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN1753189A | 公开（公告）日： | 2006-03-29 |
| 发明（设计）人： | 朴珉彻;许星会;崔正达;李知晅 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L27/105;H01L27/112;H01L21/336;H01L21/8239;H01L21/8246 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 林宇清;谢丽娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 沟槽 侧壁 晶体管 非易失性存储器 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
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