[发明专利]用于曝光衬底的装置、该装置的光掩模和改进照明系统、以及利用该装置在衬底上形成图形的方法无效
| 申请号： | 200510108595.3 | 申请日： | 2005-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN1760755A | 公开（公告）日： | 2006-04-19 |
| 发明（设计）人： | 金淏哲 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/14 | 分类号： | G03F1/14;G03F7/20;G02B27/28;H01L21/027 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 林宇清;谢丽娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 曝光 衬底 装置 光掩模 改进 照明 系统 以及 利用 形成 图形 方法 | ||
【权利要求书】：
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
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