[实用新型]一种带有后氧化装置的直拉硅单晶炉无效
申请号: | 200520146921.5 | 申请日: | 2005-12-26 |
公开(公告)号: | CN2890098Y | 公开(公告)日: | 2007-04-18 |
发明(设计)人: | 戴小林;吴志强;韩秋雨;姜舰;周旗钢;张果虎 | 申请(专利权)人: | 北京有色金属研究总院;有研半导体材料股份有限公司 |
主分类号: | C30B15/00 | 分类号: | C30B15/00 |
代理公司: | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 | 代理人: | 郭佩兰 |
地址: | 10008*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 带有 氧化 装置 直拉硅单晶炉 | ||
【说明书】:
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京有色金属研究总院;有研半导体材料股份有限公司,未经北京有色金属研究总院;有研半导体材料股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200520146921.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。