[发明专利]绝缘层上覆硅上的NOR型信道程序化信道抹除非接触式闪存无效
| 申请号： | 200580002609.1 | 申请日： | 2005-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN1914739A | 公开（公告）日： | 2007-02-14 |
| 发明（设计）人： | 吴国成 | 申请（专利权）人： | 吴国成 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788 |
| 代理公司： | 北京挺立专利事务所 | 代理人： | 皋吉甫 |
| 地址： | 美国加州9513*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 绝缘 层上覆硅上 nor 信道 程序化 除非 接触 闪存 | ||
【权利要求书】：
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