[发明专利]具有多组分氧化物制备的沟道的半导体器件有效
| 申请号： | 200580007896.5 | 申请日： | 2005-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN1930691A | 公开（公告）日： | 2007-03-14 |
| 发明（设计）人： | R·霍夫曼;G·S·赫尔曼;P·马迪洛维奇 | 申请（专利权）人： | 惠普开发有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王庆海;梁永 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 组分 氧化物 制备 沟道 半导体器件 | ||
【说明书】：
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