[发明专利]自对准碳化硅半导体器件无效
| 申请号： | 200580008008.1 | 申请日： | 2005-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN101040387A | 公开（公告）日： | 2007-09-19 |
| 发明（设计）人： | 伊格尔·桑金;加纳·B.·卡萨迪;卓塞弗·N.·莫莱特 | 申请（专利权）人： | 半南实验室公司 |
| 主分类号： | H01L29/76 | 分类号： | H01L29/76;H01L29/745 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 对准 碳化硅 半导体器件 | ||
【说明书】：
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