[发明专利]多介质FINFET结构和方法

权利要求书

1.一种鳍片型场效应晶体管结构，包括：

衬底；

鳍片，从所述衬底延伸；以及

栅极介质，覆盖所述鳍片，

其中所述栅极介质具有不同的厚度；

其中所述鳍片用于在所述衬底上的不同类型的晶体管，以及其中一种类型的晶体管包括具有第一厚度的栅极介质，而第二类型的晶体管包括具有与所述第一厚度不同的第二厚度的栅极介质。

2.根据权利要求1的鳍片型场效应晶体管结构，其中所述鳍片用于多鳍片晶体管。

3.根据权利要求1的鳍片型场效应晶体管结构，其中较厚栅极介质包括多个介质层，而较薄栅极介质包括较少介质层。

4.根据权利要求1的鳍片型场效应晶体管结构，还包括在所述鳍片上的覆层。

5.根据权利要求4的鳍片型场效应晶体管结构，其中所述覆层包括与所述栅极介质不同的材料。

6.一种鳍片型场效应晶体管结构，包括：

衬底；

鳍片，从所述衬底延伸，其中所述鳍片包括中心沟道区以及在所述沟道区相反侧的源极和漏极区；以及

栅极介质，覆盖所述鳍片的沟道区，

其中所述栅极介质和所述鳍片具有不同的厚度；

其中所述鳍片用于在所述衬底上的不同类型的晶体管，以及其中一种类型的晶体管包括具有第一厚度的栅极介质，而第二类型的晶体管包括具有与所述第一厚度不同的第二厚度的栅极介质。

7.根据权利要求6的鳍片型场效应晶体管结构，其中所述鳍片用于多鳍片晶体管。

8.根据权利要求6的鳍片型场效应晶体管结构，其中较厚栅极介质包括多个介质层，而较薄栅极介质包括较少介质层。

9.根据权利要求6的鳍片型场效应晶体管结构，还包括在所述鳍片上的覆层。

10.根据权利要求9的鳍片型场效应晶体管结构，其中所述覆层包括与所述栅极介质不同的材料。

11.一种鳍片型场效应晶体管结构，包括：

衬底；

鳍片，从所述衬底延伸；以及

栅极介质，覆盖所述鳍片，

其中所述鳍片用于在所述衬底上的不同类型的晶体管，以及其中第一类型的晶体管包括具有第一厚度的栅极介质，而第二类型的晶体管包括具有与所述第一厚度不同的第二厚度的栅极介质。

12.根据权利要求11的鳍片型场效应晶体管结构，其中所述鳍片用于多鳍片晶体管。

13.根据权利要求11的鳍片型场效应晶体管结构，其中较厚栅极介质包括多个介质层，而较薄栅极介质包括较少介质层。

14.根据权利要求11的鳍片型场效应晶体管结构，还包括在所述鳍片上的覆层。

15.根据权利要求14的鳍片型场效应晶体管结构，其中所述覆层包括与所述栅极介质不同的材料。

16.一种形成鳍片型场效应晶体管结构的方法，所述方法包括：

在衬底上构图鳍片；

在所述鳍片上形成第一栅极介质；

利用掩膜保护第一鳍片；

从未保护的第二鳍片除去所述第一栅极介质；

从所述第一鳍片除去所述掩膜；以及

在所述第二鳍片上和在覆盖所述第一鳍片的所述第一栅极介质上形成附加栅极介质，以与所述第二鳍片比较时在所述第一鳍片上形成不同厚度的栅极介质。

17.根据权利要求16的方法，还包括在所述衬底上的不同类型的晶体管中利用所述鳍片，其中一种类型的晶体管包括具有第一厚度的栅极介质，而第二类型的晶体管包括具有与所述第一厚度不同的第二厚度的栅极介质。

18.根据权利要求16的方法，还包括利用所述鳍片形成多鳍片晶体管中的鳍片。

19.根据权利要求16的方法，其中形成附加栅极介质的所述工艺在所述第一鳍片上形成多个介质层，并在所述第二鳍片上只形成所述附加栅极介质。

20.根据权利要求16的方法，其中构图所述鳍片的所述工艺在所述鳍片上形成覆层。

21.根据权利要求20的方法，其中所述覆层包括与所述栅极介质不同的材料。