[发明专利]使用硅锗制造半导体结构的方法

权利要求书

1.一种方法，包括：

提供半导体衬底；

在半导体衬底之上形成第一层，其中第一层选自由非晶态的含硅锗层和多晶的含硅锗层组成的组；和

氧化第一层，其中氧化第一层使第一层转化为含硅氧化物层并使至少一部分半导体衬底转化为富锗半导体层。

2.如权利要求1的方法，其中半导体衬底包括位于半导体层之下的埋入氧化物层，在第一层氧化时，所述半导体衬底的半导体层转化为富锗半导体层。

3.如权利要求1的方法，其中半导体衬底包括硅层且所述至少一部分半导体衬底包括硅层，在第一层氧化时，所述半导体衬底的硅层变为富含锗的硅层。

4.如权利要求1的方法，其中氧化第一层将整个第一层转化为含硅氧化物层。

5.如权利要求1的方法，进一步包括除去所述含硅氧化物层。

6.如权利要求1的方法，其中富锗半导体层含有约15-50％范围内的锗。

7.如权利要求1的方法，其中形成第一层的步骤包括覆盖淀积第一层。

8.如权利要求1的方法，其中形成第一层的步骤包括将锗注入半导体衬底的顶部，使顶部转化为非晶的硅锗层。

9.如权利要求1的方法，其中半导体衬底包括第一隔离区和第二隔离区，在第一和第二隔离区之间形成富含锗的硅层。

10.如权利要求1的方法，进一步包括在形成第一层之前在半导体衬底之上形成图案掩模层，所述富含锗的硅层形成于半导体衬底被图案掩模层暴露的部分中。

11.如权利要求1的方法，进一步包括形成晶体管，该晶体管具有在所述富锗半导体层之上的栅极电介质，在栅极电介质之上的栅极，在所述富锗半导体层中的在栅极下面的沟道，和与沟道横向分开的源极/漏极区。

12.如权利要求1的方法，进一步包括：

在所述富锗半导体层之上形成半导体层；和

形成晶体管，该晶体管具有在所述富锗半导体层之上的栅极电介质，在栅极电介质上的栅极，在所述半导体层中的在栅极下面的沟道，和与沟道横向分开的源极/漏极区。

13.一种方法，包括：

提供包括硅层的半导体衬底；

在所述半导体衬底的硅层上形成硅锗层，其中硅锗层为无定形的或多晶的；

氧化硅锗层，使硅锗层转化为二氧化硅并使至少一部分硅层转化为富含锗的硅。

14.如权利要求13的方法，其中形成硅锗层的步骤包括覆盖淀积硅锗层。

15.如权利要求13的方法，其中形成第一层的步骤包括将锗注入半导体衬底的硅层顶部。

16.如权利要求13的方法，进一步包括，在氧化硅锗层后，除去转化了的硅锗层。

17.如权利要求13的方法，进一步包括：

在硅层中形成隔离区，其中位于隔离区之间的硅层的有源部分被转化为富含锗的硅。

18.如权利要求13的方法，进一步包括：

在形成硅锗层之前，形成上覆硅层的图案掩模层，其中硅层被图案掩模层暴露的部分转化为富含锗的硅。

19.如权利要求13的方法，进一步包括形成晶体管，该晶体管具有在富含锗的硅之上的栅极电介质，在栅极电介质之上的栅极，在富含锗的硅中的在栅极下面的沟道，和与沟道横向分开的源极/漏极区。

20.如权利要求13的方法，进一步包括：

在富含锗的硅之上形成半导体层；

形成晶体管，该晶体管具有在半导体层之上的栅极电介质，在栅极电介质之上的栅极，在半导体层中的在栅极下面的沟道，和与沟道横向分开的源极/漏极区。

21.如权利要求13的方法，其中半导体衬底进一步包括在硅层下面的埋入氧化物层。

22.一种方法，包括：

提供半导体衬底；

形成上覆半导体衬底的第一层，其中第一层包括具有第一物质和第二物质的化合物，第一层为无定形的或多晶的；

将第一层转化为包括第一物质的可除去的层，其中将第一层转化为可除去的层驱使第二物质进入下面的半导体衬底中。