[发明专利]不含氟化物的离子注入光致抗蚀剂去除用超临界流体组合物

权利要求书

1.离子注入光致抗蚀剂去除组合物，其包括至少一种超临界流体(SCF)、至少一种共溶剂和至少一种还原剂。

2.权利要求1的去除组合物，其中SCF包括选自二氧化碳、氧、氩、氪、氙和氨的流体。

3.权利要求1的去除组合物，其中SCF包括二氧化碳。

4.权利要求1的去除组合物，其中共溶剂包括至少一种C₁-C₆醇。

5.权利要求1的去除组合物，其中共溶剂包括异丙醇(IPA)。

6.权利要求1的去除组合物，其中还原剂包括如下的至少一种：甲酸、氢气、甲醛、福尔马林、硼烷、乙硼烷、胺稳定化的硼烷、胺稳定化的铝烷、和BH₄与A1H₄的四烷基胺。

7.权利要求6的去除组合物，其中还原剂包括甲酸。

8.权利要求1的去除组合物，其中SCF基去除组合物基于该组合物总重包括约60.0-约90.0重量％SCF、约10.0-约30.0重量％共溶剂和约0.01-约5.0重量％还原剂。

9.权利要求8的去除组合物，其中SCF包括二氧化碳。

10.权利要求8的去除组合物，其中共溶剂包括至少一种C₁-C₆烷醇。

11.权利要求8的去除组合物，其中还原剂包括如下的至少一种：甲酸、氢气、甲醛、福尔马林、硼烷、乙硼烷、胺稳定化的硼烷、胺稳定化的铝烷、和BH₄与AlH₄的四烷基胺。

12.从具有离子注入光致抗蚀剂的基片去除所述光致抗蚀剂的方法，所述方法包括在充分接触条件下，使具有离子注入光致抗蚀剂的基片与SCF基组合物接触充分长时间，从而将离子注入光致抗蚀剂从基片除去，所述SCF基组合物包括至少一种SCF、至少一种共溶剂和至少一种还原剂。

13.权利要求12的方法，其中SCF包括选自二氧化碳、氧、氩、氪、氙和氨的流体。

14.权利要求12的方法，其中SCF包括二氧化碳。

15.权利要求12的方法，其中接触条件包括约1500psi至约4500psi范围的压力。

16.权利要求12的方法，其中所述接触时间范围为约1分钟至约20分钟。

17.权利要求12的方法，其中共溶剂包括至少一种C₁-C₆醇。

18.权利要求12的方法，其中共溶剂包括异丙醇(IPA)。

19.权利要求12的方法，其中还原剂包括如下的至少一种：甲酸、氢气、甲醛、福尔马林、硼烷、乙硼烷、胺稳定化的硼烷、胺稳定化的铝烷、和BH₄与AlH₄的四烷基胺。

20.权利要求12的方法，其中还原剂包括甲酸。

21.权利要求12的方法，其中SCF基组合物基于该组合物总重包括约60.0-约90.0重量％SCF、约10.0-约30.0重量％共溶剂和约0.01-约5.0重量％还原剂。

22.权利要求12的方法，其中接触步骤包含循环，所述循环包括(i)SCF基组合物与具有离子注入光致抗蚀剂的基片的动态流动接触，和(ii)SCF基组合物与具有离子注入光致抗蚀剂的基片的静态浸泡接触。

23.权利要求22的方法，其中所述循环包括对具有离子注入光致抗蚀剂的基片交替、重复地进行动态流动接触(i)和静态浸泡接触(ii)。

24.权利要求12的方法，其进一步包括在第一洗涤步骤中用SCF/异丙醇水洗涤溶液、和在第二洗涤步骤中用SCF对已除去离子注入光致抗蚀剂的基片区域进行洗涤，从而在所述第一洗涤步骤中除去沉淀的残留化学添加剂，并在所述第二洗涤步骤中除去沉淀的残留化学添加剂和/或残留的醇。

25.权利要求24的方法，其中SCF包括SCCO₂。