[发明专利]晶片级单元片处理

权利要求书

1.一种包括元件的窝伏尔组件设备，该元件包括：

在所述元件的表面中的凹坑，

所述元件包含与半导体晶片处理兼容的材料以及尺寸和形状中的 至少之一，其中配置所述凹坑使得在所述凹坑中的来自半导体晶片的 单元片关于垂直于所述元件的正面的轴线倾斜。

2.根据权利要求1的设备，其中所述材料跟湿法晶片处理兼 容。

3.根据权利要求1的设备，其中所述凹坑的尺寸和形状被形成 为保持半导体单元片。

4.根据权利要求1的设备，其中所述凹坑的数目足够容纳来自 半导体晶片的多个单元片。

5.根据权利要求4的设备，其中所述数目大于50。

6.根据权利要求4的设备，其中所述数目至少是一千。

7.根据权利要求1的设备，其中所述凹坑具有比来自半导体晶 片的单元片的横向尺寸大0.05-0.2mm的横向尺寸。

8.根据权利要求1的设备，其中所述凹坑具有比来自半导体晶 片的单元片的厚度小或大最多0.05毫米的深度。

9.根据权利要求1的设备，其中配置所述凹坑使得将所述单元 片向所述元件的质心倾斜。

10.根据权利要求9的设备，其中所述凹坑中的所述单元片的倾 斜具有指向所述元件的质心和几何中心之一的径向倾斜分量，

所述倾斜具有处于所述单元片的平面内的并沿着垂直于从所述单 元片的中心到质心和几何中心之一的线的切向倾斜分量，

所述径向倾斜分量在幅度上大于所述切向倾斜分量。

11.根据权利要求1的设备，其中配置所述凹坑使放置在所述凹 坑中的单元片倾斜，所述倾斜具有指向所述元件的质心和几何中心之 一的径向倾斜分量，

所述倾斜具有处于所述单元片的平面内的并沿着垂直于从所述单 元片的中心到质心和几何中心之一的线的切向倾斜分量，

所述径向倾斜分量在幅度上大于所述切向倾斜分量。

12.根据权利要求9的设备，其中配置所述凹坑使得以第一倾斜 使放置在所述元件的第一部分中的第一多个所述单元片的每个倾斜， 并且以跟所述第一倾斜不同的第二倾斜使所述元件的第二部分中的第 二多个所述单元片的每个倾斜。

13.根据权利要求12的设备，其中所述第一部分和所述第二部 分是四分之一圆。

14.根据权利要求1的设备，其中所述凹坑包括：

侧壁；

连接所述侧壁的底面；以及

在所述底面的一侧上的远离所述元件的质心或中心的壁架。

15.根据权利要求1的设备，还包括：

在所述元件中形成的通道。

16.根据权利要求15的设备，其中所述元件包括圆形元件，并 且所述通道布置成径向跨越所述圆形元件。

17.根据权利要求15的设备，其中所述元件包括圆形元件，其 中所述通道布置在跨越所述圆形元件的弦上。

18.根据权利要求15的设备，其中所述通道放置成跟所述凹坑 的侧壁邻近。

19.根据权利要求15的设备，其中所述通道中的至少两个通道 连接每个所述凹坑。

20.根据权利要求19的设备，其中所述至少两个通道布置在所 述凹坑的相对侧。

21.根据权利要求15的设备，其中所述通道具有等于或大于所 述凹坑的深度的深度。

22.根据权利要求1的设备，还包括：覆盖所述元件的盖子。

23.根据权利要求22的设备，其中所述盖子具有多个配对凹 坑。

24.根据权利要求23的设备，其中盖子的配对凹坑在位置上对 应于所述元件中的所述凹坑。