[发明专利]具有受保护的有源模片区域的半导体设备及方法有效
| 申请号： | 200580013128.0 | 申请日： | 2005-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN1947246A | 公开（公告）日： | 2007-04-11 |
| 发明（设计）人： | 乔治·R.·雷尔;欧文·R.·费伊;罗伯特·J.·温泽尔 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L23/06;H01L23/48 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 马浩 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 保护 有源 区域 半导体设备 方法 | ||
【权利要求书】：
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于飞思卡尔半导体公司，未经飞思卡尔半导体公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200580013128.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
