[发明专利]LED接合结构以及LED接合结构的制造方法

权利要求书

1.一种LED芯片，包括：

至少包括p型层和n型层的外延区；

形成在所述p型层或n型层中的至少一个上的欧姆触点；以及

形成在欧姆触点上的焊垫，该焊垫的总体积小于约3×10^-5mm³。

2.如权利要求1所述的LED芯片，其中焊垫包括金属焊料。

3.如权利要求1所述的LED芯片，其中焊垫包括Au、Au/Sn、Pb/Sn、Sn或Sn/Ag。

4.如权利要求1所述的LED芯片，其中焊垫的总体积小于约2.5×10^-5mm³。

5.如权利要求1所述的LED芯片，其中焊垫被形成的形状为具有基本方形的周边的平行六面体。

6.如权利要求5所述的LED芯片，其中外延区的宽度大于等于约250μm，并且其中焊垫的高度小于等于约1.2μm、宽度小于等于约150μm。

7.如权利要求1所述的LED芯片，其中焊垫被形成的形状为圆柱体。

8.如权利要求7所述的LED芯片，其中外延区的宽度大于等于约250μm，并且其中焊垫的高度小于等于约2μm、直径小于外延区宽度的一半。

9.如权利要求8所述的LED芯片，其中焊垫的直径小于等于约120μm。

10.如权利要求1所述的LED芯片，其中焊垫被形成的形状为具有相对的平行表面和星形的周边的多面体。

11.如权利要求10所述的LED芯片，其中从焊垫的边缘到外延区的边缘的距离至少约为50μm。

12.一种LED，包括：

LED芯片，该LED芯片具有：至少包括p型层和n型层的外延区；形成在所述p型层或n型层中的至少一个上的欧姆触点；以及形成在欧姆触点上的焊垫，该焊垫的总体积小于约3×10^-5mm³，

其中所述LED芯片经由焊垫接合在基座上，

并且其中LED芯片和基座之间的接合的切变强度超过140g。

13.如权利要求12所述的LED，其中外延区包括周界，并且焊垫包括完全位于该外延区的周界内的金属焊料。

14.如权利要求12所述的LED，其中焊垫的总体积小于欧姆触点层和基座之间的空间体积。

15.一种制造LED的方法，包括：

提供一种LED芯片，该LED芯片具有：至少包括p型层和n型层的外延区；形成在所述p型层或n型层中的至少一个上的欧姆触点；以及形成在欧姆触点上的焊垫，该焊垫的总体积小于约3×10^-5mm³，

通过热压或热超声接合将LED芯片接合在基座上。

16.如权利要求15所述的方法，其中将LED芯片接合在基座上的步骤包括向LED芯片施加大约30至70g的作用力。

17.如权利要求16所述的方法，其中所施加的作用力大约为50g。

18.如权利要求15所述的方法，其中所述LED芯片包括衬底，并且欧姆触点形成在外延区的与衬底相对的表面上。

19.如权利要求15所述的方法，其中焊垫的总体积小于约2.5×10^-5mm³。

20.如权利要求15所述的方法，其中焊垫被形成的形状为具有基本呈方形的周边的平行六面体。

21.如权利要求20所述的方法，其中外延区的宽度大于等于约250μm，并且其中焊垫的高度小于等于约1.2μm、宽度小于等于约150μm。

22.如权利要求15所述的方法，其中焊垫被形成的形状为具有基本呈圆形的周边的圆柱体。

23.如权利要求22所述的方法，其中外延区的宽度大于等于约250μm，并且其中焊垫的高度小于等于约2μm、直径小于外延区宽度的一半。

24.如权利要求23所述的方法，其中焊垫的直径小于等于约120μm。