[发明专利]具有雪崩保护的高电流MOS器件及操作方法无效
| 申请号： | 200580013473.4 | 申请日： | 2005-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN1947259A | 公开（公告）日： | 2007-04-11 |
| 发明（设计）人： | 维什努·K·肯卡;阿米塔瓦·博斯;维贾伊·帕塔萨拉蒂;祝荣华 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74;H01L29/76 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 黄启行;穆德骏 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 雪崩 保护 电流 mos 器件 操作方法 | ||
【权利要求书】：
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